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成电求实专技继续教育公需科目集成电路试题及答案

时间:2023-07-26    点击: 次    来源:网络    作者:佚名 - 小 + 大


PN结加正向电压时,空间电荷区将( )


A、变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法判断

答案:A

3、(单选,5分)

会造成元器件永久性损坏的击穿是( )

A、齐纳击穿

B、雪崩击穿

C、热击穿

答案:C

4、(单选,5分)
当温度升高时PN结反向饱和电流将( )

A、增加

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:A

5、(单选,5分)
二极管的伏安特性可以构造多种等效电路,对于不同的应用场合应选用不同的模型,下列适用于小信号分析的模型是( )

A、理想二极管模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、微变等效模型

答案:D

6、(单选,5分)
稳压管的稳压区是工作在( )

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

答案:C

7、(单选,5分)
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )

A、前者反偏,后者也反偏

B、前者正偏,后者反偏

C、前者正偏,后者也正偏

D、前者反偏,后者正偏

答案:B

8、(单选,5分)
当晶体管工作于饱和状态时( )

A、发射结正偏,集电结正偏

B、发射结正偏,集电结反偏

C、发射结反偏,集电结反偏

D、发射结反偏,集电结正偏

答案:A


9、(单选,5分)

当温度升高时,晶体管的电流放大系数β将( )

A、减小

B、增大

C、不变

D、无法判断

答案:B


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